SANDISK ANUNCIA LA PRODUCCIÓN MASIVA DE SU MEMORIA FLASH NAND DE 43 NANÓMETROS

La tecnología de punta -desarrollada en conjunto con Toshiba- demuestra su liderazgo en memoria flash MLC.

SAN FRANCISCO, California, 7 de febrero de 2008 – SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) anunció la introducción de la memoria flash Multi-Level (MLC) NAND, que utiliza la tecnología de procesos de 43 nanómetros (nm), reduciendo así el costo de los dados además de conservar el desempeño y la confiabilidad.

SanDisk planea comenzar a distribuir estos productos en el segundo trimestre de 2008 usando la densidad de memoria flash MLC NAND de un solo chip más alta de la industria. La distribución comenzará con 16GB y seguirá con la de 32GB, en la segunda mitad de 2008.

Al respecto, Randhir Thakur, vicepresidente ejecutivo Tecnología y Operaciones mundiales de SanDisk, aseguró “estamos entusiasmados por comenzar esta producción, que logrará reducir los costos significativamente. Las características de la tecnología incluyen la arquitectura All Bit Line (ABL) de SanDisk, con algoritmos eficientes de programación y tamaño de páginas de 8 kilobytes (KB), lo que ofrece capacidades de alto desempeño. La litografía avanzada, otras innovaciones en la tecnología de procesos y la primera arquitectura de 64 NAND de la industria ofrecen un menor costo por megabyte y un excelente desempeño. La generación de la tecnología de 43nm será nuestro principal enfoque durante 2008, así como el de continuar ofreciendo tecnología de punta y menores costos a nuestros clientes”.

Reafirmando su liderazgo en el campo del desarrollo y fabricación de tecnología flash NAND avanzada, SanDisk ha iniciado la transición a la fabricación de 43nm en Yokkaichi Operations de Toshiba en Nagoya, Japón. El nuevo flash de 43nm se producirá inicialmente en Fab 4, la planta de obleas que ambas empresas abrieron el año pasado.

Se espera que la generación de flash NAND en combinación con la innovación en sistemas y los controladores propietarios de SanDisk permitan que los mercados emergentes -como los de Solid State Drives (SSDs) y NAND administrado como iNAND-, amplíen las capacidades de almacenamiento flash del mercado móvil y eleven su liderazgo en líneas de productos de alto desempeño.