Intel y Micron presentan la primera memoria Flash NAND fabricada en 25 nanómetros

Las empresas anuncian la más alta capacidad de la industria y el más pequeño de los dispositivos NAND de 3 bits por celda y producido con la tecnología de 25 nanómetros líder en la industria, que ofrecerá ventajas de costo para una amplia gama de aplicaciones de almacenamiento dirigidas a los consumidores.

SANTA CLARA, California, y BOISE, Idaho, 20 de agosto de 2010 – Intel Corporation y Micron Technology Inc anunciaron hoy la disponibilidad de la memoria flash NAND de 3 bits por celda (3bpc) con la tecnología de proceso de silicio de 25 nanómetros (nm), produciendo así el dispositivo NAND más pequeño y con mayor capacidad de la industria. Las empresas han enviado muestras del producto inicial a clientes selectos y esperan estar en plena producción a finales de año.

El nuevo dispositivo de 3bpc con 64 gigabits (Gb) de memoria y tecnología de proceso de 25 nm ofrece una mayor eficiencia de costos y una mayor capacidad de almacenamiento para la competitiva tarjeta flash USB – SD (Secure Digital) y los mercados de electrónica de consumo. La memoria flash se usa principalmente para almacenar datos, fotos y otros contenidos multimedia para su uso en la captura y transferencia de datos entre dispositivos informáticos y digitales, como cámaras digitales, reproductores multimedia portátiles, cámaras de video digitales y todo tipo de computadoras personales. Estos mercados están bajo presión constante para proporcionar mayores capacidades a precios bajos.

Diseñado por la empresa IM Flash Technologies (IMFT), un emprendimiento conjunto para el desarrollo de flash NAND, la litografía de 64 Gb, u 8 gigabytes (GB), con tecnología de 25 nm almacena tres bits de información por celda, en comparación con la capacidad más reducida de las tradicionales de un bit ("Single-Level Cell") o dos bits (Multi-Level Cell). La industria también se refiere a la 3bpc como "Triple-Level Cell" (TLC.)

"Con el lanzamiento en enero de la oblea con el tamaño más pequeño de la industria con tecnología de 25 nm, seguido rápidamente por el paso a los 3 bits por celda en 25 nm, continuamos ganando impulso y ofreciéndoles a los clientes un conjunto de productos líderes", dijo Tom Rampone, Vicepresidente de Intel y Gerente General del Intel NAND Solutions Group. "Intel tiene previsto utilizar el liderazgo de IMFT en el diseño y la fabricación para entregarles a nuestros clientes productos de mayor densidad a precios competitivos, basados en el nuevo dispositivo 8GB TLC 25nm NAND".

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